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離子遷移不再困擾：高效覆蓋膜解決方案
隨著電子設備在提高性能的同時向著小型化、輕量化方向發(fā)展，產品集成度越來越高，FPC的線寬線距越來越小。當FPC在高溫高濕的環(huán)境下工作時，細線路間易形成導電性枝晶，降低線路間的絕緣可靠性，甚至導致FPC短路失效。離子遷移造成的電子產品元器件電化學腐蝕成為下游FPC廠近幾年最嚴重的質量問題。
提高PCB基材的耐離子遷移性成為了電子產品開發(fā)中的迫切需求。因此，對于精細線路制程工藝，與之匹配的抗枝晶（Anti-dendrite）材料就顯得十分必要。抗枝晶（Anti-dendrite）材料的使用，能有效降低細線路間產生枝晶的風險，提高FPC的可靠性。
耐離子遷移的產生條件
電化學遷移通常是指在電場作用下使金屬離子發(fā)生遷移的現(xiàn)象，其形成的必要條件：電勢差、電解質溶液、離子遷移通道、可遷移物質。
電勢差：當FPCB使用通電時，通路之間會形成一定的電勢差。
電解質溶液：環(huán)境條件下的水汽，FPCB制程中的污染物離子及有膠材料膠粘劑中的雜質離子，可形成可導電的電解質溶液。
離子遷移通道：環(huán)氧膠系覆蓋膜在熱固化過程中會形成一些微小孔隙及空洞，就可為離子遷移提供通道。
可遷移物質：焊點Sn、 焊盤Ni、基材Cu等可參與電化學反應的金屬及其離子。
耐離子遷移覆蓋膜優(yōu)勢
相對于normal CVL ：
l 更低的鹵素水平
l 更優(yōu)秀的高溫耐老化能力
l 1000H耐離子遷移能力，無枝晶
相對于其他廠家Anti-dendrite CVL
l 更好的操作性
l 更優(yōu)良的基礎物性和耐老化信賴性
l 更具有競爭力的價格
技術參數(shù)
ZYC-C系列CVL耐離子遷移性能突出，適合精細線路設計FPC制程。
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項目 |
ZYC-C |
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疊構 |
PI |
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膠離型紙 |
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PI |
廠家 |
達邁、菲瑪特 |
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厚度/um |
12、25、50 |
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膠 |
廠家 |
南昌正業(yè) |
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厚度/um |
10-50 |
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耐離子遷移覆蓋膜——鹵素對比
Anti-dendrite產品具有較Normal產品更低的鹵素水準，更耐離子遷移。
Normal CVL 428ppm
耐離子遷移覆蓋膜——遷移測試
Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK
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離子遷移測試 |
Normal CVL |
Anti-dendrite CVL |
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測試條件 |
溫濕度：85℃/85%RH 時間：1000h 電壓: DC 50V 基材：ZYFD250012 覆蓋膜：ZYC1215 線寬線距:50um/50um |
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測試結果 |
500H NG |
1000H OK |
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阻值 |
初始電阻/Ω |
1.48E+9 |
1.92E+9 |
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500H電阻/Ω |
-- |
1.89E+9 |
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1000H電阻/Ω |
-- |
1.87E+9 |
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電阻下降率 |
-- |
2.6% |
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*500h Normal cvl部分樣品發(fā)生微短
耐離子遷移覆蓋膜——測試設備
雙85環(huán)境下50V直流電壓對樣品進行測試1000H
Migration test 1000H OK , no dendrite
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